RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Comparar
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2309
3779
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB Comparações de RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link