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Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
67
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
6.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
3.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
33
Velocidade de leitura, GB/s
6.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1101
2478
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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