Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Pontuação geral
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 44
    Por volta de -38% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.6 left arrow 9.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.6 left arrow 8.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2193 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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