RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2193
2524
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link