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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
55
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
55
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
16.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3465
2701
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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