RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
3526
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Relatar um erro
×
Bug description
Source link