RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
29
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
22
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
3188
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link