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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.9
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
4053
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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