RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
49
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2302
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link