RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2370
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link