RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2637
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link