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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
38
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
18
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2566
3814
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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