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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
122
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.4
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
2,378.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
122
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
5.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
1411
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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