RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
3516
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link