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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
1832
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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