RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2581
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link