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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2588
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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