RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
45
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
2036
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link