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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
3462
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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