RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
3457
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link