RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2960
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link