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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2353
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
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