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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2361
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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