RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
31
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3132
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link