RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
26
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2855
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link