RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
40
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2362
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link