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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2658
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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