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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
40
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2204
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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