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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2892
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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