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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3211
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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