Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 34
    Por volta de 26% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.3 left arrow 8.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.1 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.6 left arrow 12.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2045 left arrow 2584
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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