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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
45
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2414
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
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Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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