RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2231
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link