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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3114
2987
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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