RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Comparar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,001.3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
58
Por volta de -176% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,796.5
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,001.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
768
3034
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link