RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Comparar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Pontuação geral
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
58
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,001.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,796.5
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,001.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
768
2294
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link