RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Comparar
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Pontuação geral
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1929
3563
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Comparações de RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link