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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Comparar
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2152
2358
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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