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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14200
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.6
Largura de banda de memória, mbps
14200
21300
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2558
3140
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparações de RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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