RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14200
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.8
Largura de banda de memória, mbps
14200
21300
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2558
2497
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Comparações de RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link