RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Comparar
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
42
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
42
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2361
2352
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Comparações de RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link