RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
95
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
95
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2302
1518
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link