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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
44
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2302
3343
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparações de RAM
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Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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