RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Comparar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
32
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
13.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
32
Velocidade de leitura, GB/s
20.5
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
16.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3530
2855
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link