RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Comparar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
39
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
39
Velocidade de leitura, GB/s
20.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
16.4
12.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3530
2760
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link