RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2972
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link