RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
52
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2740
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link