RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
56
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2200
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link