RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2817
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link