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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
45
Por volta de -50% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
30
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
13.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
3273
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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